报告题目：氮化物半导体的大失配外延及其器件研究

报告时间：2025年9月22日（周一）09:00

报告地点：南京原子制造研究所14楼报告厅(浦口区未蓝科技园)

报告人：唐宁教授(北京大学)

摘要：宽禁带半导体在高科技产业和国防军工等领域有重大应用，被美国DARPA列为十大颠覆性高科技领域之一。北京大学宽禁带半导体研究中心团队长期以来专注氮化物宽禁带半导体(又称GaN基)材料、物理和器件研究，本报告简要介绍该团队在氮化物半导体及其量子结构的大失配异质外延生长、强极化/高能带阶跃氮化物半导体二维电子气输运性质、氮化物半导体缺陷物理和缺陷控制、GaN基功率和射频电子器件、AIGaN基深紫外发光器件等方面的研究成果。

报告人简介：唐宁，北京大学博雅特聘教授，研究方向为宽禁带半导体材料和器件物理。2015年获国家自然科学基金委优秀青年科学基金，2020年入选“万人计划”青年拔尖人才，2022年获国家杰出青年科学基金，先后主持国家重点研发计划重点专项项目2项。迄今在PRL、Science子刊、Nature子刊、Nano Letters, Advanced Science, AFM.APL、PRB等期刊发表SCI收录论文100多篇，出版专著2部